机译:优化GaN卤化物气相外延生长的低温GaN缓冲层
机译:直径为6英寸的Si衬底金属-有机气相外延系统上的高生长速率AlGaN缓冲层和用于AlGaN / GaN HEMT的低碳GaN的大气压生长
机译:通过三卤化物气相外延和高速晶片旋转,在无缓冲层的4度偏轴Si和C面4H-SiC上进行GaN外延生长
机译:用氢化物气相外延ZnO缓冲层GaN生长初期的横向和垂直生长研究
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:优化GaN卤化物气相外延生长的低温GaN缓冲层